Infineon IRF5210PBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -100V,RDS(ON) 0.06Ohm,ID -40A,TO-220AB,PD 200W,VGS+/-20VNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Infineon avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Infineon IRF5210PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.54 x 4.69 x 15.24 mm |
| Drain Current | -29 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.06 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -100 V |
| Forward Transconductance | 10 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.6 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.6" (15.24mm) |
| Input Capacitance | 2700 pF @ -25 V |
| Length | 0.414 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 200 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 180 nC |
| Turn Off Delay Time | 79 ns |
| Turn On Delay Time | 17 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 180 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -100 V |
| Width | 0 in |