Infineon IRF5210PBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -100V,RDS(ON) 0.06Ohm,ID -40A,TO-220AB,PD 200W,VGS+/-20VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF5210PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.54 x 4.69 x 15.24 mm |
| Drain Current | -29 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.06 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -100 V |
| Forward Transconductance | 10 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.6 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.6" (15.24mm) |
| Input Capacitance | 2700 pF @ -25 V |
| Length | 0.414 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 200 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 180 nC |
| Turn Off Delay Time | 79 ns |
| Turn On Delay Time | 17 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 180 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -100 V |
| Width | 0 in |