Infineon IRLZ24N
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.06Ohm,ID 18A,TO-220AB,PD 45W,VGS +/-16VNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Infineon avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Infineon IRLZ24N Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | For all commercial-industrial applications at power dissipat |
| Channel Type | N-Channel |
| Drain Current | 18 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.06 Ohm |
| Fall Time | 29 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 8.3 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±16 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | PCB Mount, TO-220AB |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 45 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.3 °C⁄W (Max.) |
| Rise Time | 74 ns (Typ.) |
| Series | HEXFET Series |
| Total Gate Charge | 15 nC |
| Turn Off Delay Time | 20 ns |
| Turn On Delay Time | 7.1 ns |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |