Infineon IRLZ24N
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.06Ohm,ID 18A,TO-220AB,PD 45W,VGS +/-16VMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Infineon ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Infineon seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Infineon IRLZ24N ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Infineon markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Infineon ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Infineon IRLZ24N ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Infineon IRLZ24N Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | For all commercial-industrial applications at power dissipat |
| Channel Type | N-Channel |
| Drain Current | 18 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.06 Ohm |
| Fall Time | 29 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 8.3 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±16 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | PCB Mount, TO-220AB |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 45 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.3 °C⁄W (Max.) |
| Rise Time | 74 ns (Typ.) |
| Series | HEXFET Series |
| Total Gate Charge | 15 nC |
| Turn Off Delay Time | 20 ns |
| Turn On Delay Time | 7.1 ns |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |