NTE Electronics, Inc. NTE199

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Amplifier, High Gain, VCEO 50V, IC 100mA, PD 360mW

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NTE Electronics, Inc. NTE199 Specifications

Property	Value
Collector Current	100 mA
Collector to Base Voltage	70 V
Collector to Emitter Voltage	50 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	100 mA
Device Dissipation	0.36 W
Dimensions	5.2 x 4.2 x 5.33 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.21" (5.33mm)
Length	0.204 in
Material	Si
Material Type	Silicon
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	90 MHz
Package Type	TO-92
Polarity	NPN
Power Dissipation	260 mW
Primary Type	Si
Product Header	Silicon NPN Transistor
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +125 °C
Temperature Range, Junction, Operating	-55 to 125 °C
Transistor Polarity	NPN
Transistor Type	NPN
Type	Amplifier, High Gain
UPC Code	768249095415
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	50 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	0.125 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	0.78 V
Width	0 in