NTE Electronics, Inc. NTE199
Transistor, Bipolar, Si, NPN, Amplifier, High Gain, VCEO 50V, IC 100mA, PD 360mWМы рады предложить нашим клиентам продукцию NTE Electronics, Inc. с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции NTE Electronics, Inc. и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте NTE Electronics, Inc. NTE199. Бренд NTE Electronics, Inc. известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели NTE Electronics, Inc., что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта NTE Electronics, Inc. NTE199 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
NTE Electronics, Inc. NTE199 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 100 mA |
| Collector to Base Voltage | 70 V |
| Collector to Emitter Voltage | 50 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| Device Dissipation | 0.36 W |
| Dimensions | 5.2 x 4.2 x 5.33 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.21" (5.33mm) |
| Length | 0.204 in |
| Material | Si |
| Material Type | Silicon |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 90 MHz |
| Package Type | TO-92 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 260 mW |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon NPN Transistor |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +125 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -55 to 125 °C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Amplifier, High Gain |
| UPC Code | 768249095415 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 50 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.125 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 0.78 V |
| Width | 0 in |