Siliconix / Vishay SI4816BDY-T1-E3/BKN
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Siliconix / Vishay SI4816BDY-T1-E3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Drain Current | 5.8/8.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0185/0.0115 Ohms |
| Forward Transconductance | 30/31 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1/0.5 V |
| Gate to Source Voltage | 20 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100/82 °C/W |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1/1.25 W |
| Series | SI48 Series |
| Total Gate Charge | 7.8/11.6 nC |
| Turn Off Delay Time | 24/31 ns |
| Turn On Delay Time | 11/13 ns |
| Type | Dual Power |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |