Siliconix / Vishay SI4816BDY-T1-E3/BKN

DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOT

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Siliconix / Vishay SI4816BDY-T1-E3/BKN Specifications

Property	Value
Drain Current	5.8/8.2 A
Drain to Source On Resistance	0.0185/0.0115 Ohms
Forward Transconductance	30/31 S
Forward Voltage, Diode	1.1/0.5 V
Gate to Source Voltage	20 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	100/82 °C/W
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1/1.25 W
Series	SI48 Series
Total Gate Charge	7.8/11.6 nC
Turn Off Delay Time	24/31 ns
Turn On Delay Time	11/13 ns
Type	Dual Power
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V