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General Semiconductor / Vishay S1M-E3/61T
General Semiconductor / Vishay S1M-E3/61T
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General Semiconductor / Vishay S1M-E3/61T Specifications
Property | Value |
---|---|
Configuration | Single |
Continuous Forward Current | 1 A |
Dimensions | 4.50 x 2.79 x 2.087 mm |
Diode Type | Glass Passivated Rectifier |
Forward Voltage | 1.1 V |
Height | 0.082" (2.087mm) |
Junction Capacitance | 12 pF |
Length | 0.177 in |
Maximum Junction Temperature | +150 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Non Repetitive On State Peak Current | 30 A |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | -55 to +150 °C |
Package Type | DO-214AC |
Peak Current | 50 μA |
Primary Type | Rectifier |
Product Header | Surface Mount Glass Passivated Rectifier |
Recovery Time | 1.8 μs |
Repetitive Peak Voltage | 1000 V |
Reverse Current | 50 μA |
Reverse Recovery Time | 1800 ns |
Series | S1M Series |
Surge Current | 30 A |
Switching Speed | Standard |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Width | 0 in |