Infineon IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF7309TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	-3 to 4 A
Drain to Source On Resistance	0.080 to 0.16 Ohms
Drain to Source Voltage	-30 to 30 V
Forward Transconductance	2.5 (P), 5.2 (N) S
Forward Voltage, Diode	1/-1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	440 pF @ -15 V (P), 520 pF @ 15 V (N)
Junction to Ambient Thermal Resistance	90 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.4 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	25/25 nC
Turn Off Delay Time	22 (N), 25 (P) ns
Turn On Delay Time	11 (P), 6.8 (N) ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 25 nC @ -4.5 V (P), Maximum of 25 nC @ 4.
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-30 V
Width	0 in