Infineon IRF7309TRPBF
IRF7309TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin SOICМы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF7309TRPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Infineon IRF7309TRPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Infineon IRF7309TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -3 to 4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.080 to 0.16 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
| Forward Transconductance | 2.5 (P), 5.2 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1/-1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 440 pF @ -15 V (P), 520 pF @ 15 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 90 °C/W |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 1.4 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 25/25 nC |
| Turn Off Delay Time | 22 (N), 25 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 11 (P), 6.8 (N) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 25 nC @ -4.5 V (P), Maximum of 25 nC @ 4. |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30/-30 V |
| Width | 0 in |