Infineon IRF7338PBF

12V DUAL N- AND P- CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8 PACKAGE

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Infineon IRF7338PBF Specifications

Property	Value
Drain Current	6.3/-3 A
Drain to Source On Resistance	0.034/0.15 Ohms
Forward Transconductance	9.2/3.5 S
Forward Voltage, Diode	1.3/-1.2 V
Gate to Source Voltage	±12/±8 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	8.6/6.6 nC
Turn Off Delay Time	26/27 ns
Turn On Delay Time	6/9.6 ns
Type	Power
Voltage, Breakdown, Drain to Source	12/-12 V