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Infineon IRF7404TRPBF
Infineon IRF7404TRPBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.04Ohm,ID -6.7A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-12VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF7404TRPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
Drain Current | -6.7 A |
Drain to Source On Resistance | 0.06 Ohms |
Drain to Source Voltage | -20 V |
Forward Transconductance | 6.8 S |
Forward Voltage, Diode | -1 V |
Gate to Source Voltage | ±12 V |
Height | 0.059" (1.5mm) |
Input Capacitance | 1500 pF @ -15 V |
Length | 0.196 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 8 |
Package Type | SO-8 |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 2.5 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 50 °C/W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 50 nC |
Turn Off Delay Time | 100 ns |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 50 nC @ -4.5 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
Width | 0 in |