Infineon IRFB4610PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 73A,TO-220AB,PD 190W,-55C

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Infineon IRFB4610PBF Specifications

Property	Value
Application	High efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterru
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.66 x 4.82 x 9.02 mm
Drain Current	73 A
Drain to Source On Resistance	14 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Fall Time	70 ns (Typ.)
Forward Transconductance	73 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	3550 pF @ 50 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62 °C⁄W
Length	0.419 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 °C (Max.)
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	190 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.77 °C/W (Max.)
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	90 nC
Turn Off Delay Time	53 ns
Turn On Delay Time	18 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	90 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in