Infineon IRFB4610PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 73A,TO-220AB,PD 190W,-55C

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFB4610PBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRFB4610PBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRFB4610PBF Specifications

Property	Value
Application	High efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterru
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.66 x 4.82 x 9.02 mm
Drain Current	73 A
Drain to Source On Resistance	14 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Fall Time	70 ns (Typ.)
Forward Transconductance	73 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	3550 pF @ 50 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62 °C⁄W
Length	0.419 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 °C (Max.)
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	190 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.77 °C/W (Max.)
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	90 nC
Turn Off Delay Time	53 ns
Turn On Delay Time	18 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	90 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in