Infineon IRFR120NTRLPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,D-Pak (TO-252AA),PD 48W

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Infineon IRFR120NTRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	9.4 A
Drain to Source On Resistance	0.21 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	2.7 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	330 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	48 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	25 nC
Turn Off Delay Time	32 ns
Turn On Delay Time	4.5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 25 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in