Infineon IRFR120NTRLPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,D-Pak (TO-252AA),PD 48W

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFR120NTRLPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRFR120NTRLPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRFR120NTRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	9.4 A
Drain to Source On Resistance	0.21 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	2.7 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	330 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	48 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	25 nC
Turn Off Delay Time	32 ns
Turn On Delay Time	4.5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 25 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in