Infineon IRLZ34NPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.035Ohm,ID 30A,TO-220AB,PD 68W,VGS +/-16V

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Infineon IRLZ34NPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Drain Current	30 A
Drain to Source On Resistance	0.06 Ohms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	11 sec
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 16 V
Height	0.6" (15.24mm)
Input Capacitance	880 pF @ 25 V
Length	0.414 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	68 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	25 nC
Turn Off Delay Time	21 ns
Turn On Delay Time	8.9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 25 nC @ 5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in