NTE Electronics, Inc. NTE102
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NTE Electronics, Inc. NTE102 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 150 mA |
| Collector to Base Voltage | 25 V |
| Collector to Emitter Voltage | 24 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| Device Dissipation | 150 mW |
| Diameter | 8.95 mm |
| Dimensions | 8.95 Dia. x 6.35 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 12 V |
| Height | 0.25" (6.35mm) |
| Material | Si |
| Material Type | Germanium |
| Maximum Operating Temperature | +100 °C |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 25 MHz |
| Package Type | TO-5 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 150 mW |
| Primary Type | Ge |
| Product Header | Germanium Complementary Transistor |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +100 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +150 C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Driver, Power |
| UPC Code | 768249005315 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 25 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.15 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 0.09 V |