NTE Electronics, Inc. NTE102
Transistor, Bipolar,Ge,PNP,Driver, Power,VCEO 24V,IC 150mA,PD 150mW,TO-5,hFE 90Müşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle NTE Electronics, Inc. ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir NTE Electronics, Inc. seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada NTE Electronics, Inc. NTE102 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. NTE Electronics, Inc. markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı NTE Electronics, Inc. ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
NTE Electronics, Inc. NTE102 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
NTE Electronics, Inc. NTE102 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 150 mA |
| Collector to Base Voltage | 25 V |
| Collector to Emitter Voltage | 24 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| Device Dissipation | 150 mW |
| Diameter | 8.95 mm |
| Dimensions | 8.95 Dia. x 6.35 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 12 V |
| Height | 0.25" (6.35mm) |
| Material | Si |
| Material Type | Germanium |
| Maximum Operating Temperature | +100 °C |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 25 MHz |
| Package Type | TO-5 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 150 mW |
| Primary Type | Ge |
| Product Header | Germanium Complementary Transistor |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +100 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +150 C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Driver, Power |
| UPC Code | 768249005315 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 25 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.15 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 0.09 V |