NTE Electronics, Inc. NTE112
Diode,Schottky Barrier,Ultrafast,Vr 5V,If 30mA,Pkg DO-35,Vf 0.55V,Cj 1pF,Cs 60mAEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos NTE Electronics, Inc. com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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NTE Electronics, Inc. NTE112 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Breakdown Voltage | 5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 30 mA |
| Diameter | 2.28 mm |
| Dimensions | 2.28 Dia. x 5.08 L mm |
| Diode Type | Schottky |
| Forward Voltage | 0.55 V |
| Junction Capacitance | 1.125 pF |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 400 °C⁄W |
| Length | 0.2 in |
| Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Non Repetitive On State Peak Current | 60 mA |
| Number of Pins | 2 |
| Package Type | Axial |
| Peak Current | 0.05 μA |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Silicon Small Signal Schottky Diode |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 50 V |
| Reverse Current | 0.05 μA |
| Series | Diode Rectifier Series |
| Surge Current | 60 mA |
| Switching Speed | Ultrafast |
| Temperature Operating Range | Maximum of +125 °C |
| UPC Code | 768249013518 |