NTE Electronics, Inc. NTE172A

Transistor, Darlington,Si,NPN,Amplifier, High Gain,Vo 40V,VI 12V,Io 300mA,TO-92

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NTE Electronics, Inc. NTE172A Specifications

Property	Value
Collector Current	300 mA
Collector to Base Voltage	40 V
Collector to Emitter Voltage	40 V
Configuration	Common Base
Dimensions	5.2 x 4.2 x 5.33 mm
Emitter to Base Voltage	12 V
Height	0.21" (5.33mm)
Input Capacitance	10.5 pF
Input Voltage	12 V
Length	0.204 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Minimum DC Current Gain	20000
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Output Current	0.3 A
Output Voltage	40 VDC
Package Type	TO-92
Polarity	NPN
Power Dissipation	400 mW
Primary Type	Si
Product Header	NPN Darlington Silicon Transistor
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +125 °C
Transistor Polarity	NPN
Transistor Type	NPN
Type	Amplifier, High Gain
UPC Code	768249071211
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1.4 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.6 V
Voltage, Saturation, Collector to Emitter	1.4 V
Width	0 in