NTE Electronics, Inc. NTE175
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NTE Electronics, Inc. NTE175 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 5 A |
| Collector to Base Voltage | 500 V |
| Collector to Emitter Voltage | 300 V |
| Configuration | Common Base |
| Device Dissipation | 40 W |
| Diameter | 12.3 mm |
| Dimensions | 12.3 Dia. x 7.5 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 6 V |
| Height | 0.295" (7.5mm) |
| Material | Si |
| Material Type | Silicon |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Frequency | 15 MHz |
| Package Type | TO-66 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 35 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon Complementary Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 5 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Amplifier, High Voltage |
| UPC Code | 768249074410 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 300 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.75 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 1.4 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 0.75 V |