ON Semiconductor MJ15016G

Transistor, Bipolar,Si,PNP,High Power,VCEO 120VDC,IC 15A,PD 180W,VCBO 200VDC

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ON Semiconductor MJ15016G Specifications

Property	Value
Collector Current	15 A
Collector to Base Voltage	200 V
Collector to Emitter Voltage	120 V
Configuration	Common Base
Dimensions	39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Emitter to Base Voltage	7 V
Height	1.05" (26.67mm)
Length	1.55 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	2
Operating Frequency	2.2 MHz
Package Type	TO-204
Polarity	PNP
Power Dissipation	180 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Silicon High Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.52 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +200 °C
Transistor Type	PNP
Type	High Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	120 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	5 V
Width	0 in