- Домашняя страница
- Бренды
- ON Semiconductor
- MJ15016G
ON Semiconductor MJ15016G
ON Semiconductor MJ15016G
Transistor, Bipolar,Si,PNP,High Power,VCEO 120VDC,IC 15A,PD 180W,VCBO 200VDCМы рады предложить нашим клиентам продукцию ON Semiconductor с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции ON Semiconductor и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте ON Semiconductor MJ15016G. Бренд ON Semiconductor известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели ON Semiconductor, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта ON Semiconductor MJ15016G или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
ON Semiconductor MJ15016G Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 15 A |
Collector to Base Voltage | 200 V |
Collector to Emitter Voltage | 120 V |
Configuration | Common Base |
Dimensions | 39.37 x 8.51 x 26.67 mm |
Emitter to Base Voltage | 7 V |
Height | 1.05" (26.67mm) |
Length | 1.55 in |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +200 °C |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 2 |
Operating Frequency | 2.2 MHz |
Package Type | TO-204 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 180 W |
Primary Type | Si |
Product Header | Complementary Silicon High Power Transistor |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.52 °C/W |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
Transistor Type | PNP |
Type | High Power |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 120 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 5 V |
Width | 0 in |