ON Semiconductor PZT2907AT1G
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ON Semiconductor PZT2907AT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | -600 mA |
| Collector to Base Voltage | -60 V |
| Collector to Emitter Voltage | -60 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 6.70 x 3.70 x 1.65 mm |
| Emitter to Base Voltage | -5 V |
| Height | 0.065" (1.65mm) |
| Length | 0.263 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 4 |
| Operating Frequency | 200 MHz |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 1.5 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | PNP Silicon Epitaxial Transistor |
| Series | PZT Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Switching |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | -60 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | -1.6 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | -2.6 V |
| Width | 0 in |