SEMIKRON SEMIX 202GB12T4S

IGBT Module, Trench, Half-Bridge, 1200 V, 314 A Max., SEMiX 2s

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SEMIKRON SEMIX 202GB12T4S Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Collector Current	314 A
Collector to Emitter Shorted Voltage	1200 V
Collector to Emitter Voltage	1200 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	314 A
Dimensions	116.5 x 61.5 x 17 mm
Energy Rating	43 mJ
Gate Capacitance	12.3 nF
Gate to Emitter Voltage	20 V
Height	0.669" (17mm)
Length	4.586" (116.5mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Screw
Number of Pins	16
Package Type	SEMIX 2s
Polarity	N-Channel
Primary Type	Si
Product Header	Trench N-Channel IGBT Module
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.14 K/W
Series	IGBT Series
Temperature Operating Range	-40 to +175 °C
Type	Trench
Width	2.421" (61.5mm)