Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.8Ohm,ID -350mA,SC-75A (SOT-416),PD 150mWEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.68 x 0.86 x 0.8 mm |
| Drain Current | -0.35 A |
| Drain to Source On Resistance | 2.7 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 0.4 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±6 V |
| Height | 0.031" (0.8mm) |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | SC-75A |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 0.15 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI10 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 1.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 35 ns |
| Turn On Delay Time | 5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1500 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0.034 in |