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Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3
Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3
MOSFET,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.08Ohm,ID -2.2A,TO-236 (SOT-23),PD 0.7W,VGS +/-8VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Drain Current | -2.2 A |
Drain to Source On Resistance | 0.15 Ohms |
Forward Transconductance | 6.5 S |
Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±8 V |
Height | 0.04" (1.02mm) |
Length | 0.119 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-236 |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 0.7 W |
Product Header | P-Channel MOSFET |
Series | SI23 Series |
Total Gate Charge | 4.5 nC |
Turn Off Delay Time | 30 ns |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |