- Домашняя страница
- Бренды
- Siliconix / Vishay
- SI2301BDS-T1-E3
Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3
Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3
MOSFET,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.08Ohm,ID -2.2A,TO-236 (SOT-23),PD 0.7W,VGS +/-8VМы рады предложить нашим клиентам продукцию Siliconix / Vishay с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Siliconix / Vishay и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3. Бренд Siliconix / Vishay известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Siliconix / Vishay, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Drain Current | -2.2 A |
Drain to Source On Resistance | 0.15 Ohms |
Forward Transconductance | 6.5 S |
Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±8 V |
Height | 0.04" (1.02mm) |
Length | 0.119 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-236 |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 0.7 W |
Product Header | P-Channel MOSFET |
Series | SI23 Series |
Total Gate Charge | 4.5 nC |
Turn Off Delay Time | 30 ns |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |