NTE Electronics, Inc. NTE2387
Power MOSFET,N-Ch,VDSS 800V,RDS(ON) 2.7Ohms,ID 4A,PD 125W,VGS+/-30V,gFS 4.3Mhosنحن سعداء بتقديم منتجات NTE Electronics, Inc. لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات NTE Electronics, Inc. ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج NTE Electronics, Inc. NTE2387 على هذه الصفحة. تُعرف علامة NTE Electronics, Inc. بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من NTE Electronics, Inc.، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج NTE Electronics, Inc. NTE2387 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
NTE Electronics, Inc. NTE2387 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | For high speed switch |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 4 A |
| Drain to Source On Resistance | 3 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 800 V |
| Fall Time | 40 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 4.3 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±30 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 1000 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 60 °C⁄W |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 125 W |
| Product Header | N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C⁄W (Max.) |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 130 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| UPC Code | 768249114017 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 800 V |