NTE Electronics, Inc. NTE2387
Power MOSFET,N-Ch,VDSS 800V,RDS(ON) 2.7Ohms,ID 4A,PD 125W,VGS+/-30V,gFS 4.3MhosEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos NTE Electronics, Inc. com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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NTE Electronics, Inc. NTE2387 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | For high speed switch |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 4 A |
| Drain to Source On Resistance | 3 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 800 V |
| Fall Time | 40 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 4.3 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±30 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 1000 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 60 °C⁄W |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 125 W |
| Product Header | N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C⁄W (Max.) |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 130 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| UPC Code | 768249114017 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 800 V |