ON Semiconductor MBRD835LT4G

Diode,Schottky Barrier,Vr 35V,If 8A,Pkg D-PAK,Vf 0.51V,Tj +150C,Cs 75A,Ir 35mA

نحن سعداء بتقديم منتجات ON Semiconductor لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات ON Semiconductor ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج ON Semiconductor MBRD835LT4G على هذه الصفحة. تُعرف علامة ON Semiconductor بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من ON Semiconductor، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج ON Semiconductor MBRD835LT4G أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

ON Semiconductor MBRD835LT4G Specifications

Property	Value
Alternate Mfr Part Number	463981
Configuration	Dual Common Anode
Continuous Forward Current	8 A
Dimensions	6.22 x 6.73 x 2.25 mm
Diode Type	Schottky Barrier
Forward Voltage	0.51 V
Height	0.089" (2.25mm)
Length	0.244 in
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	75 A
Number of Pins	3
Operating Temperature	-65 to +150 °C
Package Type	DPAK
Peak Current	1400 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	Switchmode™ Schottky Barrier Rectifier
Rectifier Type	Switching
Repetitive Peak Voltage	35 V
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.8 °C/W
Reverse Current	35 mA
Series	MBR Series
Surge Current	75 A
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Width	0 in