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ON Semiconductor MBRD835LT4G
ON Semiconductor MBRD835LT4G
Diode,Schottky Barrier,Vr 35V,If 8A,Pkg D-PAK,Vf 0.51V,Tj +150C,Cs 75A,Ir 35mANos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
Nuestra gama de productos incluye una amplia variedad de opciones ON Semiconductor y otros modelos. Si no encuentra el modelo que busca, puede enviarnos un correo electrónico o completar el formulario de solicitud de cotización. Nuestra empresa ofrece solo productos originales o nuevos. Si tiene solicitudes especiales al respecto, no dude en contactarnos.
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ON Semiconductor MBRD835LT4G Specifications
Property | Value |
---|---|
Alternate Mfr Part Number | 463981 |
Configuration | Dual Common Anode |
Continuous Forward Current | 8 A |
Dimensions | 6.22 x 6.73 x 2.25 mm |
Diode Type | Schottky Barrier |
Forward Voltage | 0.51 V |
Height | 0.089" (2.25mm) |
Length | 0.244 in |
Maximum Junction Temperature | +150 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Non Repetitive On State Peak Current | 75 A |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -65 to +150 °C |
Package Type | DPAK |
Peak Current | 1400 μA |
Primary Type | Schottky Barrier |
Product Header | Switchmode™ Schottky Barrier Rectifier |
Rectifier Type | Switching |
Repetitive Peak Voltage | 35 V |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 2.8 °C/W |
Reverse Current | 35 mA |
Series | MBR Series |
Surge Current | 75 A |
Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
Width | 0 in |