ON Semiconductor MBRD835LT4G
Diode,Schottky Barrier,Vr 35V,If 8A,Pkg D-PAK,Vf 0.51V,Tj +150C,Cs 75A,Ir 35mAEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos ON Semiconductor com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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ON Semiconductor MBRD835LT4G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Alternate Mfr Part Number | 463981 |
| Configuration | Dual Common Anode |
| Continuous Forward Current | 8 A |
| Dimensions | 6.22 x 6.73 x 2.25 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Voltage | 0.51 V |
| Height | 0.089" (2.25mm) |
| Length | 0.244 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Non Repetitive On State Peak Current | 75 A |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Temperature | -65 to +150 °C |
| Package Type | DPAK |
| Peak Current | 1400 μA |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Switchmode™ Schottky Barrier Rectifier |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 35 V |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 2.8 °C/W |
| Reverse Current | 35 mA |
| Series | MBR Series |
| Surge Current | 75 A |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Width | 0 in |