ON Semiconductor MGSF1N03LT1G

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30VDC, RDS(ON) 0.08Ohm, ID 1.6A, SOT-23 (TO-236)

نحن سعداء بتقديم منتجات ON Semiconductor لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات ON Semiconductor ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج ON Semiconductor MGSF1N03LT1G على هذه الصفحة. تُعرف علامة ON Semiconductor بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من ON Semiconductor، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج ON Semiconductor MGSF1N03LT1G أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

ON Semiconductor MGSF1N03LT1G Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.01 mm
Drain Current	2.1 A
Drain to Source On Resistance	0.145 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Voltage, Diode	0.8 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.04" (1.01mm)
Input Capacitance	140 pF @ 5 V
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SOT-23
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	0.69 W
Product Header	N-Channel Power MOSFET
Series	Power MOSFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	6000 pC
Turn Off Delay Time	16 ns
Turn On Delay Time	2.5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6000 nC @
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0.055 in