ON Semiconductor MGSF1N03LT1G
MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30VDC, RDS(ON) 0.08Ohm, ID 1.6A, SOT-23 (TO-236)Nous sommes heureux de proposer à nos clients des produits ON Semiconductor avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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ON Semiconductor MGSF1N03LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Drain Current | 2.1 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.145 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Forward Voltage, Diode | 0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Input Capacitance | 140 pF @ 5 V |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 0.69 W |
| Product Header | N-Channel Power MOSFET |
| Series | Power MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 6000 pC |
| Turn Off Delay Time | 16 ns |
| Turn On Delay Time | 2.5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6000 nC @ |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0.055 in |