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ON Semiconductor MGSF1N03LT1G
ON Semiconductor MGSF1N03LT1G
MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30VDC, RDS(ON) 0.08Ohm, ID 1.6A, SOT-23 (TO-236)Nos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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En esta página, encontrará información detallada sobre el producto ON Semiconductor MGSF1N03LT1G. La marca ON Semiconductor es reconocida por sus piezas de alta calidad utilizadas en diversos sectores. El sitio web ofrece diferentes modelos de productos ON Semiconductor, que ofrecen opciones adaptadas a sus necesidades.
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ON Semiconductor MGSF1N03LT1G Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
Drain Current | 2.1 A |
Drain to Source On Resistance | 0.145 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Forward Voltage, Diode | 0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.04" (1.01mm) |
Input Capacitance | 140 pF @ 5 V |
Length | 0.119 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | SOT-23 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 0.69 W |
Product Header | N-Channel Power MOSFET |
Series | Power MOSFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 6000 pC |
Turn Off Delay Time | 16 ns |
Turn On Delay Time | 2.5 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6000 nC @ |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0.055 in |