Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3
P-CH MOSFET TSSOP-8 20V 15MOHM @ 4.5Vنحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
| Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
| Drain Current | -4.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.015 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Fall Time | 150 ns |
| Forward Transconductance | 34 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.1 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.041" (1.05mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 120 °C/W |
| Length | 0.177 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TSSOP |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.05 W |
| Series | SI64 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 60 nC |
| Turn Off Delay Time | 300 ns |
| Turn On Delay Time | 55 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0 in |