Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
| Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
| Drain Current | -4.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.015 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Fall Time | 150 ns |
| Forward Transconductance | 34 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.1 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.041" (1.05mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 120 °C/W |
| Length | 0.177 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TSSOP |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.05 W |
| Series | SI64 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 60 nC |
| Turn Off Delay Time | 300 ns |
| Turn On Delay Time | 55 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0 in |