Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3

P-CH MOSFET TSSOP-8 20V 15MOHM @ 4.5V

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Siliconix / Vishay SI6463BDQ-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain ; Dual Gate ; Quad
Dimensions	4.5 x 3.1 x 1.05 mm
Drain Current	-4.9 A
Drain to Source On Resistance	0.015 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 V
Fall Time	150 ns
Forward Transconductance	34 S
Forward Voltage, Diode	-1.1 V
Gate to Source Voltage	±8 V
Height	0.041" (1.05mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	120 °C/W
Length	0.177 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	TSSOP
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.05 W
Series	SI64 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	60 nC
Turn Off Delay Time	300 ns
Turn On Delay Time	55 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	40 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V
Width	0 in