- الصفحة الرئيسية
- علامة تجارية
- Siliconix / Vishay
- SUP40N25-60-E3
Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3
Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 250V,RDS(ON) 0.049Ohm,ID 40A,TO-220AB,PD 300W,VGS +/-30Vنحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Application | Industrial |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.51 x 4.65 x 15.49 mm |
Drain Current | 40 A |
Drain to Source On Resistance | 0.163 Ohms |
Drain to Source Voltage | 250 V |
Fall Time | 145 nS |
Forward Transconductance | 70 S |
Forward Voltage, Diode | 1 V |
Gate to Source Voltage | ±30 V |
Height | 0.61" (15.49mm) |
Input Capacitance | 5000 pF @ 25 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C⁄W |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
Package Type | TO-220AB |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 300 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.5 °C/W |
Series | SUP Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 95 nC |
Turn Off Delay Time | 40 ns |
Turn On Delay Time | 22 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 250 V |
Width | 0 in |