Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 250V,RDS(ON) 0.049Ohm,ID 40A,TO-220AB,PD 300W,VGS +/-30VWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Industrial |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.51 x 4.65 x 15.49 mm |
| Drain Current | 40 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.163 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 250 V |
| Fall Time | 145 nS |
| Forward Transconductance | 70 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±30 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 5000 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C⁄W |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 300 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.5 °C/W |
| Series | SUP Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 95 nC |
| Turn Off Delay Time | 40 ns |
| Turn On Delay Time | 22 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 250 V |
| Width | 0 in |