Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 250V,RDS(ON) 0.049Ohm,ID 40A,TO-220AB,PD 300W,VGS +/-30V

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Siliconix / Vishay SUP40N25-60-E3 Specifications

Property	Value
Application	Industrial
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	40 A
Drain to Source On Resistance	0.163 Ohms
Drain to Source Voltage	250 V
Fall Time	145 nS
Forward Transconductance	70 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±30 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	5000 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	40 °C⁄W
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	300 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.5 °C/W
Series	SUP Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	95 nC
Turn Off Delay Time	40 ns
Turn On Delay Time	22 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	95 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	250 V
Width	0 in