Infineon IRF1310NSPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.036Ohm,ID 42A,D2Pak,PD 160W,VGS +/-20VWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRF1310NSPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83 mm |
| Drain Current | 42 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.036 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Forward Transconductance | 14 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.19" (4.83mm) |
| Input Capacitance | 1900 pF @ 25 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | D2PAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 160 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 110 nC |
| Turn Off Delay Time | 45 ns |
| Turn On Delay Time | 11 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
| Width | 0 in |