Infineon IRF1310NSPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.036Ohm,ID 42A,D2Pak,PD 160W,VGS +/-20V

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Infineon IRF1310NSPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	42 A
Drain to Source On Resistance	0.036 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	14 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	1900 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	160 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	110 nC
Turn Off Delay Time	45 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	110 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in