Infineon IRF1310NSPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.036Ohm,ID 42A,D2Pak,PD 160W,VGS +/-20V

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF1310NSPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRF1310NSPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRF1310NSPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	42 A
Drain to Source On Resistance	0.036 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	14 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	1900 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	160 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	110 nC
Turn Off Delay Time	45 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	110 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in