Infineon IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 2.7 A, 30 V, 8-Pin MSOPWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRF7509TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 3.05 x 3.05 x 0.91 mm |
| Drain Current | -2 to 2.7 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.175 to 0.40 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
| Forward Transconductance | 0.92 (P), 1.9 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2/-1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.036" (0.91mm) |
| Input Capacitance | 180 pF @ -25 V (P), 210 pF @ 25 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100 °C/W |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | Micro8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 7.8/7.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 12 (N), 19 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 4.7 (N), 9.7 (P) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ -10 V (P), 7.8 nC @ 10 V (N) |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30/-30 V |
| Width | 0 in |