Infineon IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 2.7 A, 30 V, 8-Pin MSOP

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Infineon IRF7509TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Drain Current	-2 to 2.7 A
Drain to Source On Resistance	0.175 to 0.40 Ohms
Drain to Source Voltage	-30 to 30 V
Forward Transconductance	0.92 (P), 1.9 (N) S
Forward Voltage, Diode	1.2/-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.036" (0.91mm)
Input Capacitance	180 pF @ -25 V (P), 210 pF @ 25 V (N)
Junction to Ambient Thermal Resistance	100 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	Micro8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.25 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	7.8/7.5 nC
Turn Off Delay Time	12 (N), 19 (P) ns
Turn On Delay Time	4.7 (N), 9.7 (P) ns
Typical Gate Charge @ Vgs	7.5 nC @ -10 V (P), 7.8 nC @ 10 V (N)
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-30 V
Width	0 in