Infineon IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 2.7 A, 30 V, 8-Pin MSOPEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF7509TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 3.05 x 3.05 x 0.91 mm |
| Drain Current | -2 to 2.7 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.175 to 0.40 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
| Forward Transconductance | 0.92 (P), 1.9 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2/-1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.036" (0.91mm) |
| Input Capacitance | 180 pF @ -25 V (P), 210 pF @ 25 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100 °C/W |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | Micro8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 7.8/7.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 12 (N), 19 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 4.7 (N), 9.7 (P) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ -10 V (P), 7.8 nC @ 10 V (N) |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30/-30 V |
| Width | 0 in |